碳化硅保护管是以高纯度碳化硅（SiC，纯度≥95%）为主要原料，通过高温烧结工艺制成的管状陶瓷器件。其核心优势源于碳化硅的共价键强晶体结构，具有高耐温、耐腐蚀、高硬度、高导热、使用寿命长等特性， 可用作在大量的粉尘污染，腐蚀环境，高温下进行测温用的热电偶保护管，还可用作熔融金属测温的热电偶保护管。广泛应用与冶金行业、工业、化工行业、科研和高端制造等行业。
碳化硅保护管是以高纯度碳化硅（SiC，纯度≥95%）为主要原料，通过高温烧结工艺制成的管状陶瓷器件。其核心优势源于碳化硅的共价键强晶体结构，具有高耐温、耐腐蚀、高硬度、高导热、使用寿命长等特性， 可用作在大量的粉尘污染，腐蚀环境，高温下进行测温用的热电偶保护管，还可用作熔融金属测温的热电偶保护管。广泛应用与冶金行业、工业、化工行业、科研和高端制造等行业。
技术参数：
主要成分： SiC 纯度≥95%（高纯型≥99%） ；
莫氏硬度： 9.5 级 仅次于金刚石，耐磨性优异；
线膨胀系数： 4.0~4.5×10⁻⁶/℃（20~1000℃）
热膨胀率低，抗热震性优于多数陶瓷；
最高使用温度： 1600℃（长期），短时耐温≤2000℃；
空气气氛中，表面会形成 SiO₂氧化膜（约 1200℃开始生成），
保护内部碳化硅；
尺寸: 可根据不同需求定制
碳化硅保护管是以高纯度碳化硅（SiC，纯度≥95%）为主要原料，通过高温烧结工艺制成的管状陶瓷器件。其核心优势源于碳化硅的共价键强晶体结构，具有高耐温、耐腐蚀、高硬度、高导热、使用寿命长等特性， 可用作在大量的粉尘污染，腐蚀环境，高温下进行测温用的热电偶保护管，还可用作熔融金属测温的热电偶保护管。广泛应用与冶金行业、工业、化工行业、科研和高端制造等行业。
技术参数：
主要成分： SiC 纯度≥95%（高纯型≥99%） ；
莫氏硬度： 9.5 级 仅次于金刚石，耐磨性优异；
线膨胀系数： 4.0~4.5×10⁻⁶/℃（20~1000℃）
热膨胀率低，抗热震性优于多数陶瓷；
最高使用温度： 1600℃（长期），短时耐温≤2000℃；
空气气氛中，表面会形成 SiO₂氧化膜（约 1200℃开始生成），
保护内部碳化硅；
尺寸: 可根据不同需求定制
碳化硅保护管是以高纯度碳化硅（SiC，纯度≥95%）为主要原料，通过高温烧结工艺制成的管状陶瓷器件。其核心优势源于碳化硅的共价键强晶体结构，具有高耐温、耐腐蚀、高硬度、高导热、使用寿命长等特性， 可用作在大量的粉尘污染，腐蚀环境，高温下进行测温用的热电偶保护管，还可用作熔融金属测温的热电偶保护管。广泛应用与冶金行业、工业、化工行业、科研和高端制造等行业。
技术参数：
主要成分： SiC 纯度≥95%（高纯型≥99%） ；
莫氏硬度： 9.5 级 仅次于金刚石，耐磨性优异；
线膨胀系数： 4.0~4.5×10⁻⁶/℃（20~1000℃）
热膨胀率低，抗热震性优于多数陶瓷；
最高使用温度： 1600℃（长期），短时耐温≤2000℃；
空气气氛中，表面会形成 SiO₂氧化膜（约 1200℃开始生成），
保护内部碳化硅；
尺寸: 可根据不同需求定制
碳化硅保护管是以高纯度碳化硅（SiC，纯度≥95%）为主要原料，通过高温烧结工艺制成的管状陶瓷器件。其核心优势源于碳化硅的共价键强晶体结构，具有高耐温、耐腐蚀、高硬度、高导热、使用寿命长等特性， 可用作在大量的粉尘污染，腐蚀环境，高温下进行测温用的热电偶保护管，还可用作熔融金属测温的热电偶保护管。广泛应用与冶金行业、工业、化工行业、科研和高端制造等行业。
技术参数：
主要成分： SiC 纯度≥95%（高纯型≥99%） ；
莫氏硬度： 9.5 级 仅次于金刚石，耐磨性优异；
线膨胀系数： 4.0~4.5×10⁻⁶/℃（20~1000℃）
热膨胀率低，抗热震性优于多数陶瓷；
最高使用温度： 1600℃（长期），短时耐温≤2000℃；
空气气氛中，表面会形成 SiO₂氧化膜（约 1200℃开始生成），
保护内部碳化硅；
尺寸: 可根据不同需求定制
