HT-TL-CGF是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特备适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
HT-TL-CGF是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特备适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技术参数：
腔体 | 采用304不锈钢腔体，带有水冷夹层，可通入冷却水 |
腔体上安装有石英窗口，以便观察样品 | |
腔体真空度：10-5Torr（采用分子泵） | |
腔体尺寸：∅257*360mm | |
电弧枪 | 共有4个电弧枪，可让样品得到均匀的温场（电弧枪都带有冷却水） |
钨电极直径∅4mm | |
电弧腔体对样品的角度和距离可手动调节 | |
起弧电源：17V/185A 电压380V | |
熔炼温度可达3000℃ | |
样品台 | 采用水冷铜坩埚 |
可投入样品量为60g（按铁计算） | |
提拉机构 | 控制器控制提拉机构的提拉速度，行程和转速 |
提拉速度：0.2-10mm/h | |
提拉行程：0-70mm | |
转速：0-40RPM | |
控制单元 | 可显示和设置单晶生长的参数（起弧电流，提拉杆转速，提拉行程和转速） |
设备中配有一分子泵系统（机械泵+涡旋分子泵） | |
抽气速率：100L/S | |
可使设备腔体的真空度达到10-5Torr（40分钟内） | |
循环水冷机 | 功率：800W |
水流速度：58L/min | |
制冷能力：5004W（17500Btu/hour） | |
温度控制：5～30℃ | |
设备尺寸 | 800mm*800mm*1500mm（L*W*H） |
多晶材料在一个旋转的、冷却的铜炉中被四个电弧熔化。将一根冷冻的钨拉杆浸入热熔液中。在旋转过程中，拉杆缓慢抬起，使晶体生长。为了防止熔体和晶体氧化，整个过程在无氧和无湿的气氛中进行。可用于生长各种单晶体，包括硅、蓝宝石、氮化硅、碳化硅等，它可以生长高纯度、高质量和大尺寸的单晶体。
HT-TL-CGF是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特备适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技术参数：
腔体 | 采用304不锈钢腔体，带有水冷夹层，可通入冷却水 |
腔体上安装有石英窗口，以便观察样品 | |
腔体真空度：10-5Torr（采用分子泵） | |
腔体尺寸：∅257*360mm | |
电弧枪 | 共有4个电弧枪，可让样品得到均匀的温场（电弧枪都带有冷却水） |
钨电极直径∅4mm | |
电弧腔体对样品的角度和距离可手动调节 | |
起弧电源：17V/185A 电压380V | |
熔炼温度可达3000℃ | |
样品台 | 采用水冷铜坩埚 |
可投入样品量为60g（按铁计算） | |
提拉机构 | 控制器控制提拉机构的提拉速度，行程和转速 |
提拉速度：0.2-10mm/h | |
提拉行程：0-70mm | |
转速：0-40RPM | |
控制单元 | 可显示和设置单晶生长的参数（起弧电流，提拉杆转速，提拉行程和转速） |
设备中配有一分子泵系统（机械泵+涡旋分子泵） | |
抽气速率：100L/S | |
可使设备腔体的真空度达到10-5Torr（40分钟内） | |
循环水冷机 | 功率：800W |
水流速度：58L/min | |
制冷能力：5004W（17500Btu/hour） | |
温度控制：5～30℃ | |
设备尺寸 | 800mm*800mm*1500mm（L*W*H） |
多晶材料在一个旋转的、冷却的铜炉中被四个电弧熔化。将一根冷冻的钨拉杆浸入热熔液中。在旋转过程中，拉杆缓慢抬起，使晶体生长。为了防止熔体和晶体氧化，整个过程在无氧和无湿的气氛中进行。可用于生长各种单晶体，包括硅、蓝宝石、氮化硅、碳化硅等，它可以生长高纯度、高质量和大尺寸的单晶体。
HT-TL-CGF是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特备适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技术参数：
腔体 | 采用304不锈钢腔体，带有水冷夹层，可通入冷却水 |
腔体上安装有石英窗口，以便观察样品 | |
腔体真空度：10-5Torr（采用分子泵） | |
腔体尺寸：∅257*360mm | |
电弧枪 | 共有4个电弧枪，可让样品得到均匀的温场（电弧枪都带有冷却水） |
钨电极直径∅4mm | |
电弧腔体对样品的角度和距离可手动调节 | |
起弧电源：17V/185A 电压380V | |
熔炼温度可达3000℃ | |
样品台 | 采用水冷铜坩埚 |
可投入样品量为60g（按铁计算） | |
提拉机构 | 控制器控制提拉机构的提拉速度，行程和转速 |
提拉速度：0.2-10mm/h | |
提拉行程：0-70mm | |
转速：0-40RPM | |
控制单元 | 可显示和设置单晶生长的参数（起弧电流，提拉杆转速，提拉行程和转速） |
设备中配有一分子泵系统（机械泵+涡旋分子泵） | |
抽气速率：100L/S | |
可使设备腔体的真空度达到10-5Torr（40分钟内） | |
循环水冷机 | 功率：800W |
水流速度：58L/min | |
制冷能力：5004W（17500Btu/hour） | |
温度控制：5～30℃ | |
设备尺寸 | 800mm*800mm*1500mm（L*W*H） |
多晶材料在一个旋转的、冷却的铜炉中被四个电弧熔化。将一根冷冻的钨拉杆浸入热熔液中。在旋转过程中，拉杆缓慢抬起，使晶体生长。为了防止熔体和晶体氧化，整个过程在无氧和无湿的气氛中进行。可用于生长各种单晶体，包括硅、蓝宝石、氮化硅、碳化硅等，它可以生长高纯度、高质量和大尺寸的单晶体。
HT-TL-CGF是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特备适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技术参数：
腔体 | 采用304不锈钢腔体，带有水冷夹层，可通入冷却水 |
腔体上安装有石英窗口，以便观察样品 | |
腔体真空度：10-5Torr（采用分子泵） | |
腔体尺寸：∅257*360mm | |
电弧枪 | 共有4个电弧枪，可让样品得到均匀的温场（电弧枪都带有冷却水） |
钨电极直径∅4mm | |
电弧腔体对样品的角度和距离可手动调节 | |
起弧电源：17V/185A 电压380V | |
熔炼温度可达3000℃ | |
样品台 | 采用水冷铜坩埚 |
可投入样品量为60g（按铁计算） | |
提拉机构 | 控制器控制提拉机构的提拉速度，行程和转速 |
提拉速度：0.2-10mm/h | |
提拉行程：0-70mm | |
转速：0-40RPM | |
控制单元 | 可显示和设置单晶生长的参数（起弧电流，提拉杆转速，提拉行程和转速） |
设备中配有一分子泵系统（机械泵+涡旋分子泵） | |
抽气速率：100L/S | |
可使设备腔体的真空度达到10-5Torr（40分钟内） | |
循环水冷机 | 功率：800W |
水流速度：58L/min | |
制冷能力：5004W（17500Btu/hour） | |
温度控制：5～30℃ | |
设备尺寸 | 800mm*800mm*1500mm（L*W*H） |
多晶材料在一个旋转的、冷却的铜炉中被四个电弧熔化。将一根冷冻的钨拉杆浸入热熔液中。在旋转过程中，拉杆缓慢抬起，使晶体生长。为了防止熔体和晶体氧化，整个过程在无氧和无湿的气氛中进行。可用于生长各种单晶体，包括硅、蓝宝石、氮化硅、碳化硅等，它可以生长高纯度、高质量和大尺寸的单晶体。
